Datasheet > M364E1600CT0-C60

M364E1600CT0-C60

更新时间： 2024-09-14 16:16:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	480K
描述
EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M364E1600CT0-C60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.03 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.76 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M364E160(8)0CJ(T)0-C

Buffered 16Mx64 DIMM

(16Mx4 base)

Revision 0.0

June 1999

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M364E1680BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CT0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M364E1680CT0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364FAN	MTRONPTI	获取价格	5x7 mm, 3.3 Volt, HCMOS/TTL, Surface Mount Oscillator
M364FAN-1.500MHZ	MTRONPTI	获取价格	Quartz Crystal
M364FAN67.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.5MHz Min, 67MHz Max, 67MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIA
M364FAN-67.000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Quartz Crystal
M364FANFREQ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.5MHz Min, 67MHz Max, ROHS COMPLIANT, MINIATURE CERAMI