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M29W640DB90N6

更新时间： 2024-11-01 21:12:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	388K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29W640DB90N6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.08	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,127
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29W640DB90N6 数据手册

M29W640DT

M29W640DB

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase,

Read

–

V_PP=12 V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 90 ns

PROGRAMMING TIME

–

10 µs per Byte/Word typical

Double Word Programming Option

■

135 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block and 7 Parameter Blocks,

8 KBytes each (Top or Bottom Location)

127 Main Blocks, 64 KBytes each

TSOP48 (N)

12 x 20mm

–

■

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program

algorithms

FBGA

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

TFBGA63 (ZA)

63 ball array

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

■

V_PP/WP Pin for FAST PROGRAM and WRITE

PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

–

64-bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29W640DT: 22DEh

Bottom Device Code M29W640DB:

22DFh

December 2004

1/49

12 3 4 5 6 7...49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W640DB90N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90ZA1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90ZA1E	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
M29W640DB90ZA1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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