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M29W640DB90N6E

更新时间： 2024-11-01 20:35:23

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	945K
描述
Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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M29W640DB90N6E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.1
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	18.4 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W640DB90N6E 数据手册

M29W640DT

M29W640DB

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase,

Read

–

V_PP=12 V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 90 ns

PROGRAMMING TIME

–

10 µs per Byte/Word typical

Double Word Programming Option

■

135 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block and 7 Parameter Blocks,

8 KBytes each (Top or Bottom Location)

127 Main Blocks, 64 KBytes each

TSOP48 (N)

12 x 20mm

–

■

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program

algorithms

FBGA

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

TFBGA63 (ZA)

63 ball array

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

■

V_PP/WP Pin for FAST PROGRAM and WRITE

PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

–

64-bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29W640DT: 22DEh

Bottom Device Code M29W640DB:

22DFh

December 2004

1/49

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W640DB90N6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90ZA1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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M29W640DB90ZA1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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