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M29F512B45K1T

更新时间： 2024-09-20 20:34:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	136K
描述
Flash, 64KX8, 45ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M29F512B45K1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.995 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.455 mm
Base Number Matches：	1

M29F512B45K1T 数据手册

M29F512B

512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Single Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

TSOP32 (NZ)

8 x 14mm

PLCC32 (K)

Figure 1. Logic Diagram

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 24h

A0-A15

DQ0-DQ7

M29F512B

AI02739

July 1999

1/16

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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