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M29F512B45NZ1T

更新时间： 2024-09-20 20:34:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	136K
描述
Flash, 64KX8, 45ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32

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M29F512B45NZ1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.68
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	12.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M29F512B45NZ1T 数据手册

M29F512B

512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Single Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

TSOP32 (NZ)

8 x 14mm

PLCC32 (K)

Figure 1. Logic Diagram

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 24h

A0-A15

DQ0-DQ7

M29F512B

AI02739

July 1999

1/16

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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