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M28F256-10XB3TR

更新时间： 2024-09-15 22:55:59

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M28F256-10XB3TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; 10000 ERASE/PROGRAM CYCLES
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
长度：	41.91 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AM28F256-120PI	AMD	功能相似	256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F256-120PC	AMD	功能相似	256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
M28F256-90B1TR	STMICROELECTRONICS	功能相似	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M28F256-10XB6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XC113	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
M28F256-10XC1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XC3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XC6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
M28F256-10XF112	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M28F256-10XF114	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M28F256-10XF312	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M28F256-10XF313	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M28F256-10XF314	STMICROELECTRONICS	获取价格	32KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32