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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 20页 | 717K |  |
| 描述 | ||
| 256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | BULK ERASE |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | 长度： | 13.995 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.56 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11.455 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28F256-12C6TR | STMICROELECTRONICS |
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256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-12F312 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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| M28F256-12F314 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, CDIP32, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |
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| M28F256-12XB112 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| M28F256-12XB1TR | STMICROELECTRONICS |
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256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-12XB312 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| M28F256-12XB313 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| M28F256-12XB3TR | STMICROELECTRONICS |
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256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-12XB6TR | STMICROELECTRONICS |
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256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
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| M28F256-12XC114 | STMICROELECTRONICS |
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32KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
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