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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 198K |  |
| 描述 | ||
| 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 150 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.995 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11.455 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M28F101-150XK1TR | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| M28F101-150XK3 | STMICROELECTRONICS |
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1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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| M28F101-150XK3TR | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| M28F101-150XK6 | STMICROELECTRONICS |
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1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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| M28F101-150XN1 | STMICROELECTRONICS |
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1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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| M28F101-150XN1RTR | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| M28F101-150XN3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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| M28F101-150XN3RTR | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M28F101-150XN6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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| M28F101-150XN6RTR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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