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Datasheet > 存储 > 闪存> M28F101-150XK3TR
M28F101-150XK3TR PDF预览

M28F101-150XK3TR

更新时间： 2024-11-10 12:58:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 198K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M28F101-150XK3TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCJ,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.41
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-PQCC-J32长度：13.995 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL编程电压：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD类型：NOR TYPE
宽度：11.455 mmBase Number Matches：1

M28F101-150XK3TR 数据手册

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M28F101  
1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY  
5V ±10% SUPPLY VOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICALCHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
32  
– Stand-by Current: 100µAmax  
10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES  
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
1
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
OTP COMPATIBLE PACKAGES and PINOUTS  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
– Device Code: 07h  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
DESCRIPTION  
The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile  
memory which may be erased electrically at the  
chip level and programmed byte-by-byte. It is or-  
ganisedas128Kbytes of8 bits.It usesa command  
register architecture to select the operating modes  
and thus provides a simple microprocessor inter-  
face. The M28F101 FLASH Memory is suitable for  
applications where the memory has to be repro-  
grammed in the equipment. The access time of  
70ns makes the device suitable for use in high  
speed microprocessor systems.  
Figure 1. Logic Diagram  
V
V
PP  
CC  
17  
8
A0-A16  
DQ0-DQ7  
Table 1. Signal Names  
W
E
M28F101  
A0-A16  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
G
E
G
Output Enable  
Write Enable  
W
V
SS  
AI00666B  
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
April 1997  
1/23  
1234567...23

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与M28F101-150XK3TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28F101-150XK6 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F101-150XN1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F101-150XN1RTR STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M28F101-150XN3 STMICROELECTRONICS

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