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M28F101-200N3TR

更新时间： 2024-11-10 13:09:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
23页 198K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

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M28F101-200N3TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.82
最长访问时间：200 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M28F101-200N3TR 数据手册

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M28F101  
1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY  
5V ±10% SUPPLY VOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICALCHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
32  
– Stand-by Current: 100µAmax  
10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES  
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
1
PLCC32 (K)  
PDIP32 (P)  
OTP COMPATIBLE PACKAGES and PINOUTS  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
– Device Code: 07h  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
DESCRIPTION  
The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile  
memory which may be erased electrically at the  
chip level and programmed byte-by-byte. It is or-  
ganisedas128Kbytes of8 bits.It usesa command  
register architecture to select the operating modes  
and thus provides a simple microprocessor inter-  
face. The M28F101 FLASH Memory is suitable for  
applications where the memory has to be repro-  
grammed in the equipment. The access time of  
70ns makes the device suitable for use in high  
speed microprocessor systems.  
Figure 1. Logic Diagram  
V
V
PP  
CC  
17  
8
A0-A16  
DQ0-DQ7  
Table 1. Signal Names  
W
E
M28F101  
A0-A16  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
G
E
G
Output Enable  
Write Enable  
W
V
SS  
AI00666B  
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
April 1997  
1/23  
1234567...23

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与M28F101-200N3TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28F101-200N6 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F101-200N6RTR STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M28F101-200N6TR STMICROELECTRONICS

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