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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W256-120N6TR
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M27W256-120N6TR

更新时间： 2024-11-29 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 103K
描述
256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W256-120N6TR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：LSSOP, TSSOP28,.53,22针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm最大待机电流：0.000015 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M27W256-120N6TR 数据手册

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M27W256  
256 Kbit (32Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
– 70ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
28  
– 80ns at V = 2.7V to 3.6V  
28  
CC  
■ PIN COMPATIBLE with M27C256B  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– 15µA max Standby Current  
1
1
FDIP28W (F)  
PDIP28 (B)  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
PLCC32 (K)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4mm  
– Device Code: 3Dh  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M27W256 is a low voltage 256 Kbit EPROM  
offered in the two ranges UV (ultra violet erase)  
and OTP (one time programmable). It is ideally  
suited for microprocessor systems and is orga-  
nized as 32,768 by 8 bits.  
V
V
PP  
CC  
The M27W256 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 3V. The decrease in op-  
erating power allows either a reduction of the size  
of the battery or an increase in the time between  
battery recharges.  
15  
8
A0-A14  
Q0-Q7  
E
The FDIP28W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
M27W256  
G
For applications where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W256 is offered in PDIP28, PLCC32 and  
TSOP28 (8 x 13.4 mm) packages.  
V
SS  
AI03629  
March 2000  
1/15  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W256-150B6TR STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W256-150F6 STMICROELECTRONICS

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 		32KX8 UVPROM, 100ns, CDIP28, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-28
M27W256-150F6TR STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W256-150K6 STMICROELECTRONICS

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 		32KX8 OTPROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27W256-150K6TR STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W256-150N6 STMICROELECTRONICS

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 		32KX8 OTPROM, 100ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
M27W256-150N6TR STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W256-200B6 STMICROELECTRONICS

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 		32KX8 OTPROM, 100ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
M27W256-200B6TR STMICROELECTRONICS

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 		256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W256-200F6 STMICROELECTRONICS

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 		32KX8 UVPROM, 100ns, CDIP28, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-28

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