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M27W256-120K6

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
23页	212K
描述
32KX8 OTPROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M27W256-120K6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	12.75 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大待机电流：	0.000015 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

M27W256-120K6 数据手册

M27W256

256 Kbit (32Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

Features

■ 2.7V to 3.6V Supply Voltage in Read Operation

■ Access Time:

– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V

– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V

■ Pin Compatible with M27C256B

PDIP28 (B)

FDIP28W (F)

■ Low Power Consumption:

– 15 µA Max. Standby Current

– 15 mA Max. Active Current at 5 MHz

■ Programming Time 100 µs/byte

■ High Reliability CMOS Technology

– 2,000V ESD Protection

– 200 mA Latchup Protection Immunity

TSOP28 (N)

8 x 13.4 mm

■ Electronic Signature

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 3dh

PLCC32 (K)

■ ECOPACK® packages available

April 2006

Rev 3

1/23

www.st.com

12 3 4 5 6 7...23

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