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M27W256-100N6

更新时间: 2024-11-29 18:24:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 212K
描述
32KX8 OTPROM, 100ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28

M27W256-100N6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:LSSOP, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.84最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
编程电压:12.75 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm最大待机电流:0.000015 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M27W256-100N6 数据手册

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M27W256  
256 Kbit (32Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
2.7V to 3.6V Supply Voltage in Read Operation  
Access Time:  
28  
– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V  
28  
CC  
– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
Pin Compatible with M27C256B  
PDIP28 (B)  
FDIP28W (F)  
Low Power Consumption:  
– 15 µA Max. Standby Current  
– 15 mA Max. Active Current at 5 MHz  
Programming Time 100 µs/byte  
High Reliability CMOS Technology  
– 2,000V ESD Protection  
– 200 mA Latchup Protection Immunity  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 3dh  
PLCC32 (K)  
ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 3  
1/23  
www.st.com  
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