Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27V101-200N1

M27V101-200N1

更新时间： 2024-10-27 13:09:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
15页	106K
描述
128KX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M27V101-200N1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M27V101-200N1 数据手册

M27V101

1 Mbit (128Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ LOW VOLTAGE READ OPERATION:

3V to 3.6V

■ FAST ACCESS TIME: 90ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 15mA at 5MHz

– Standby Current 20µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/byte (typical)

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

FDIP32W (F)

PDIP32 (B)

– Device Code: 05h

DESCRIPTION

The M27V101 is a low voltage 1 Mbit EPROM of-

fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large data or

program storage and is organized as 131,072 by 8

bits.

PLCC32 (K)

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

Figure 1. Logic Diagram

The M27V101 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 3V. The decrease in op-

erating power allows either a reduction of the size

of the battery or an increase in the time between

battery recharges.

The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allow the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern.

A0-A16

Q0-Q7

Table 1. Signal Names

A0-A16

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Program

M27V101

Q0-Q7

Program Supply

Supply Voltage

Ground

AI00660B

May 1998

1/15

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与M27V101-200N1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27V101-200N1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V101-200N6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V101-250K1	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27V101-250K1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27V101-250K6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27V101-250L1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC
M27V101-250L6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	M27V101-250L6X
M27V101-90B1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V101-90B6	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX8 OTPROM, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M27V101-90B6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

与M27V101-200N1相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

9
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

7
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27V101-200N1

M27V101-200N1 技术参数

M27V101-200N1 数据手册

与M27V101-200N1相关器件

与M27V101-200N1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27V101-200N1

M27V101-200N1 技术参数

M27V101-200N1 数据手册

与M27V101-200N1相关器件

与M27V101-200N1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？