是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27V101-200N6TR | STMICROELECTRONICS |
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1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V101-250K1 | STMICROELECTRONICS |
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IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | |
M27V101-250K1TR | STMICROELECTRONICS |
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IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | |
M27V101-250K6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | |
M27V101-250L1TR | STMICROELECTRONICS |
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IC,EPROM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC | |
M27V101-250L6X | STMICROELECTRONICS |
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M27V101-250L6X | |
M27V101-90B1TR | STMICROELECTRONICS |
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1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V101-90B6 | STMICROELECTRONICS |
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128KX8 OTPROM, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
M27V101-90B6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Mbit 128Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V101-90F1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
128KX8 UVPROM, 90ns, CDIP32, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32 |