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LP7512

更新时间： 2024-09-25 22:31:07
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
ULTRA LOW NOISE PHEMT

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LP7512 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.40
风险等级：5.78Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：4 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：KA BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：7.5 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

LP7512 数据手册

 浏览型号LP7512的Datasheet PDF文件第2页 
LP 7 5 1 2  
ULTRA LOW NOIS E P HEMT  
DRAIN  
BOND  
PAD (2X)  
·
FEATURES  
¨
¨
¨
¨
0.6 dB Noise Figure at 12 GHz  
GATE  
BOND  
PAD (2X)  
12 dB Associated Gain at 12 GHz  
Low DC Power Consumption  
Excellent Phase Noise  
SOURCE  
BOND  
PAD (2x)  
DIE SIZE: 18.0X13.0 mils (460x330 mm)  
DIE THICKNESS: 3.9 mils (100 mm)  
BONDING PADS: 1.9X1.9 mils (50x50 mm)  
·
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP7512 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs)  
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-  
write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minimizes  
parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure and processing have been  
optimized for ultra low noise and usable gain to 40 GHz. The LP7512 also features Si3N4  
passivation and is available in a variety of packages.  
Typical applications include low noise receiver preamplifiers for commercial applications including  
wireless systems and radio link systems.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C  
Parameter  
Saturated Drain-Source Current  
Noise Figure  
Symbol  
IDSS  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
15  
35  
50  
mA  
NF  
VDS = 2 V; IDS = 25% IDSS; f=12 GHz  
f=18 GHz  
0.6  
1.0  
10  
8.5  
90  
1
0.9  
1.4  
dB  
dB  
dB  
dB  
mS  
GA  
VDS = 2 V; IDS = 25% IDSS; f=12 GHz  
f=18 GHz  
9
Associated Gain at minimum  
NF  
7.5  
60  
Transconductance  
GM  
IGSO  
IGDO  
VP  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -3 V  
Gate-Source Leakage Current  
Gate-Drain Leakage Current  
10  
10  
mA  
mA  
VGD = -3 V  
1
Pinch-Off Voltage  
Thermal Resistivity  
frequency=18 GHz  
VDS = 2 V; IDS = 1 mA  
-0.25  
-0.8  
325  
-1.5  
V
QJC  
°C/W  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/18/01  
Em a il: sales@filss.com  
12

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