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LP7612P70

更新时间： 2024-09-25 22:12:23
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
PACKAGED HIGH DYNAMIC RANGE PHEMT

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LP7612P70 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.78Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：O-CRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：16 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

LP7612P70 数据手册

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LP 7 6 1 2 P 7 0  
P ACKAGED HIGH DYNAMIC RANGE P HEMT  
·
FEATURES  
¨
¨
¨
¨
20 dBm Output Power at 1-dB Compression at 18 GHz  
7.5 dB Power Gain at 18 GHz  
16 dB Small Signal Gain at 2 GHz  
0.8 dB Noise Figure at 2 GHz  
·
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP7612P70 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide  
(AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT), utilizing an  
Electron-Beam direct-write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom”  
Ti/Pt/Au gate structure minimizes parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure  
and processing have been optimized for high dynamic range. The LP7612’s active areas are  
passivated with Si3N4, and the P70 ceramic package is ideal for low-cost, high-performance  
applications that require a surface-mount package.  
Typical applications include high dynamic range receiver preamplifiers for commercial applications  
including Cellular/PCS systems, WLAN and WLL systems, and other types of high-gain  
applications for radio link systems.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C*  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Test Conditions  
Min  
40  
Typ  
Max  
Units  
mA  
dBm  
dB  
Saturated Drain-Source Current**  
Power at 1-dB Compression  
Power Gain at 1-dB Compression  
Power-Added Efficiency  
Noise Figure  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
85  
P-1dB  
G-1dB  
PAE  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 5 V; IDS = 50% IDSS  
19  
20  
7
6.5  
45  
0.8  
%
NF  
1.2  
dB  
VDS = 3.3 V; IDS = 25% IDSS  
f=2 GHz  
;
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
IMAX  
GM  
VDS = 2 V; VGS = 1 V  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -5 V  
125  
80  
1
mA  
mS  
mA  
V
60  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
VP  
15  
VDS = 2 V; IDS = 1 mA  
IGS = 1 mA  
-0.25  
-6  
-0.8  
-7  
-1.5  
Gate-Source Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGS  
|
V
Gate-Drain Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGD  
|
IGD = 1 mA  
-8  
-9  
V
*frequency=18 GHz, unless otherwise noted  
**Formerly binned as: LPD7612P70-1 = 40-65 mA and LPD7612P70–2 = 66-85 mA  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/20/01  
Em a il: sales@filss.com  
123

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