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LP7512P70

更新时间： 2024-09-25 22:12:23
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
PACKAGED ULTRA LOW NOISE PHEMT

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LP7512P70 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：4 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：X BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：11 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

LP7512P70 数据手册

 浏览型号LP7512P70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LP7512P70的Datasheet PDF文件第3页 
LP 7 5 1 2 P 7 0  
P ACKAGED ULTRA LOW NOIS E P HEMT  
·
FEATURES  
¨
¨
¨
¨
¨
0.7 dB Noise Figure at 12 GHz  
12 dB Associated Gain at 12 GHz  
0.4 dB Noise Figure at 2 GHz  
18 dB Associated Gain at 2 GHz  
Low DC Power Consumption: 30mW  
·
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP7512P70 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide  
(AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an  
Electron-Beam direct-write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom”  
Ti/Pt/Au gate structure minimizes parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure  
and processing have been optimized for optimum low noise performance. The LP7512’s active  
areas are passivated with Si3N4, and the P70 ceramic package is ideal for low-cost, high-performance  
applications that require a surface-mount package.  
Typical applications include low noise receiver preamplifiers in wireless systems.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C*  
Parameter  
Saturated Drain-Source Current**  
Noise Figure  
Symbol  
IDSS  
NF  
Test Conditions  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VDS = 2 V; IDS = 25% IDSS  
VDS = 2 V; IDS = 25% IDSS  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -3 V  
Min  
Typ  
Max  
30  
Units  
mA  
dB  
15  
0.7  
12  
90  
1
1.0  
Associated Gain at minimum NF  
Transconductance  
GA  
11  
60  
dB  
GM  
mS  
mA  
mA  
V
Gate-Source Leakage Current  
Gate-Drain Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
IGDO  
VP  
15  
15  
VGS = -3 V  
1
VDS = 2 V; IDS = 1 mA  
-0.2  
-0.4  
-1.5  
*frequency=18 GHz, unless otherwise noted  
**Formerly binned as: LP7512P70-1 = 15-30 mA and LP7512P70–2 = 31-50 mA  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/20/01  
Em a il: sales@filss.com  
123

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