LN151L

更新时间： 2024-01-18 13:34:48

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松下 - PANASONIC		二极管
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2页	44K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diodes

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LN151L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-18, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.1 A
JESD-609代码：	e0	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	标称输出功率：	5 mW
峰值波长：	950 nm	形状：	ROUND
尺寸：	4.6 mm	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

LN151L 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

Unit : mm

LN151F

LN151F, LN151L

ø4.6±0.15

Glass window

GaAs Infrared Light Emitting Diodes

For optical control systems

2-ø0.45±0.05

2.54±0.25

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 7.5 mW (typ.)

Fast response and high-speed modulation capability :

1.0

0.2

t_r, t_f= 1 µs (typ.)

0.15

3˚

Infrared light emission close to monochromatic light :

1.0

λ_P= 950 nm (typ.)

Narrow directivity, suitable for effective use of radiant power

(LN151L)

ø5.75 max.

1: Anode

2: Cathode

Wide directivity, matched for external optical systems (LN151F)

TO-18 standard type package

Unit : mm

LN151L

ø4.6±0.15

Glass lens

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Power dissipation

P_D

I_F

160

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

100

2-ø0.45 ± 0.05

2.54±0.25

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +100

–30 to+100

˚C

1.0

˚C

0.2

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

0.15

3˚

1.0

1: Anode

2: Cathode

ø5.75 max.

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

C_t

t_r

I_F= 100mA

7.5

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Rise time

I_F= 100mA

V_R= 3V

950

1.3

1.6

µA

V_R= 0V, f = 1MHz

µs

I_FP= 100mA

Fall time

t_f

µs

LN151F

LN151L

deg.

Half-power angle

The angle in which radiant intencity is 50%

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