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LN162S

更新时间： 2024-09-29 22:46:59

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松下 - PANASONIC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN162S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CERAMIC, CTRLR102-001, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	3.5 mW	峰值波长：	950 nm
形状：	ROUND	尺寸：	3 mm
Base Number Matches：	1

LN162S 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN162S

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø3.0±0.15

For optical control systems

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 3.5 mW (typ.)

Infrared light emission close to monochromatic light :

λ_P= 950 nm (typ.)

Small ceramic package

ø0.3±0.05

ø0.45±0.05

0.9±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Anode

2: Cathode

Power dissipation

P_D

I_F

Forward current (DC)

Pulse forward Current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

–30 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

3.5

950

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 50mA

1.5

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Half-power angle

I_F= 50mA

1.2

1.5

V_R= 3V

µA

C_t

V_R= 0V, f = 1MHz

The angle in which radiant intencity is 50%

deg.

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