LN159

更新时间： 2024-02-24 08:57:06

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松下 - PANASONIC		红外LED 光电二极管
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描述
GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode

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LN159 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LSTLR102-005, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
JESD-609代码：	e0	功能数量：	1
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	标称输出功率：	1.8 mW
峰值波长：	940 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.4 mm	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

LN159 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LNA2701L

GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

For light source of VCR (VHS System)

Features

Two-way directivity

2.8±0.2

1.3±0.2

2-C0.5

High-power output, high-efficiency : P_O= 1.8 mW (min.)

Small resin package

ø1.4±0.2

2-R0.7

Long lifetime, high reliability

Thin type package modified from LN59

0.15

2-0.7 max.

2-0.5±0.1

0.5±0.1

Applications

Light source for tape end sensor of VCR and video camera

recorder of VHS system

Light source for 2-bit photo sensor

2.0

1: Anode

2: Cathode

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Power dissipation

P_D

I_F

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +65

– 30 to +85

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

mW/sr

Radiant intensity at center

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

I_e

I_F= 50mA

1.2

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 20mA

940

I_F= 20mA

I_F= 50mA

1.3

1.5

V_R= 3V

µA

C_t

V_R= 0V, f = 1MHz

^*Radiant intensity I_eshows each value of intensity I₁and I₂in two directions.

I₁

I₂

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