是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.19 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.55 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0005 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00001 µA | 标称共模抑制比: | 91 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 1230 µV |
JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 | 长度: | 3 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.19 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 功率: | NO |
电源: | +-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V | 可编程功率: | NO |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.09 mm |
标称压摆率: | 2 V/us | 子类别: | Operational Amplifiers |
最大压摆率: | 0.58 mA | 供电电压上限: | 6 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 3300 kHz | 最小电压增益: | 125000 |
宽带: | NO | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LMV832MME/NOPB | TI |
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Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o | |
LMV832MMX | TI |
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LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A | |
LMV832MMX | NSC |
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3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers | |
LMV832MMX/NOPB | TI |
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Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o | |
LMV834 | TI |
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LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A | |
LMV834MT | TI |
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LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A | |
LMV834MT | NSC |
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3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers | |
LMV834MT/NOPB | TI |
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四路、5.5V、3.3MHz、64mA 输出电流、低噪声 (12nV/√Hz) 运算放大器 | |
LMV834MTX | NSC |
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3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers | |
LMV834MTX | TI |
获取价格 |
LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A |