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LMV832MME

更新时间： 2024-01-26 05:27:22

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		运算放大器
页数	文件大小	规格书
20页	1052K
描述
3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

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LMV832MME 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SSOP
包装说明：	VSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.2
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00001 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00001 µA
最小共模抑制比：	77 dB	标称共模抑制比：	93 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	1000 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.19
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TR	峰值回流温度（摄氏度）：	260
功率：	NO	电源：	+-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率：	NO	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.07 mm	标称压摆率：	2 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	0.6 mA
供电电压上限：	6 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	3300 kHz	最小电压增益：	125000
宽带：	NO	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

Input Bias Current vs. V_CMat 85°C

Input Bias Current vs. V_CMat 125°C

30024117

30024116

Supply Current vs. Supply Voltage Single LMV831

Supply Current vs. Supply Voltage Dual LMV832

30024119

30024118

Supply Current vs. Supply Voltage Quad LMV834

Supply Current vs. Temperature Single LMV831

30024121

30024120

www.national.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LMV832MME/NOPB	TI	Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o	获取价格
LMV832MMX	TI	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A	获取价格
LMV832MMX	NSC	3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	获取价格
LMV832MMX/NOPB	TI	Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o	获取价格
LMV834	TI	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A	获取价格
LMV834MT	TI	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational A	获取价格