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LMV832MME

更新时间： 2024-02-02 11:52:02
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
20页 1052K
描述
3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

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LMV832MME 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：VSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.2
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00001 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00001 µA
最小共模抑制比：77 dB标称共模抑制比：93 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：1000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：3 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
功率：NO电源：+-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.07 mm标称压摆率：2 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.6 mA
供电电压上限：6 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：3300 kHz最小电压增益：125000
宽带：NO宽度：3 mm
Base Number Matches：1

LMV832MME 数据手册

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Symbol  
Parameter  
Conditions  
RL = 2 kΩ to V+/2  
Min  
(Note 6)  
Typ  
(Note 5)  
Max  
(Note 6)  
Units  
VOUT  
Output Voltage Swing High  
LMV831,  
LMV832  
29  
31  
6
36  
43  
LMV834  
38  
44  
RL = 10 kΩ to V+/2  
LMV831,  
LMV832  
8
9
mV from  
either rail  
LMV834  
7
9
10  
R = 2 kΩ to V+/2  
Output Voltage Swing Low  
Output Short Circuit Current  
25  
5
34  
43  
RL = 10 kΩ to V+/2  
8
10  
IOUT  
Sourcing, VOUT = VCM  
VIN = 100 mV  
,
LMV831,  
LMV832  
27  
22  
28  
28  
32  
LMV834  
24  
19  
mA  
Sinking, VOUT = VCM  
VIN = −100 mV  
,
27  
21  
IS  
Supply Current  
LMV831  
LMV832  
LMV834  
0.24  
0.46  
0.90  
2
0.27  
0.30  
0.51  
0.58  
mA  
1.00  
1.16  
SR  
Slew Rate (Note 7)  
AV = +1, VOUT = 1 VPP  
,
V/μs  
10% to 90%  
GBW  
Φm  
Gain Bandwidth Product  
Phase Margin  
3.3  
65  
MHz  
deg  
en  
Input Referred Voltage Noise Density f = 1 kHz  
f = 10 kHz  
12  
10  
nV/  
in  
Input Referred Current Noise Density f = 1 kHz  
0.005  
pA/  
ROUT  
CIN  
Closed Loop Output Impedance  
Common-mode Input Capacitance  
Differential-mode Input Capacitance  
Total Harmonic Distortion + Noise  
f = 2 MHz  
500  
15  
Ω
pF  
%
20  
THD+N  
0.02  
f = 1 kHz, AV = 1, BW ≥ 500 kHz  
5V Electrical Characteristics (Note 4)  
Unless otherwise specified, all limits are guaranteed for at TA = 25°C, V+ = 5V, V− = 0V, VCM = V+/2, and RL = 10 kΩ to V+/2.  
Boldface limits apply at the temperature extremes.  
Symbol  
VOS  
TCVOS  
Parameter  
Conditions  
Min  
(Note 6)  
Typ  
(Note 5)  
Max  
(Note 6)  
Units  
Input Offset Voltage  
±0.25  
±0.5  
±1.00  
±1.23  
mV  
(Note 9)  
Input Offset Voltage Temperature Drift  
(Notes 9, 10)  
LMV831,  
LMV832  
±1.5  
±1.7  
μV/°C  
LMV834  
±0.5  
0.1  
IB  
Input Bias Current  
(Note 10)  
10  
500  
pA  
pA  
dB  
IOS  
Input Offset Current  
1
0V ≤ VCM ≤ V+ −1.2V  
CMRR  
Common-Mode Rejection Ratio  
(Note 9)  
77  
77  
93  
3
www.national.com  
1234567...20

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