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LMV832MME

更新时间： 2024-01-24 00:02:37
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
20页 1052K
描述
3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

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LMV832MME 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：VSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.2
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00001 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00001 µA
最小共模抑制比：77 dB标称共模抑制比：93 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：1000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：3 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
功率：NO电源：+-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.07 mm标称压摆率：2 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.6 mA
供电电压上限：6 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：3300 kHz最小电压增益：125000
宽带：NO宽度：3 mm
Base Number Matches：1

LMV832MME 数据手册

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Storage Temperature Range  
Junction Temperature (Note 3)  
Soldering Information  
−65°C to 150°C  
150°C  
Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
Infrared or Convection (20 sec)  
260°C  
ESD Tolerance (Note 2)  
Operating Ratings (Note 1)  
Temperature Range (Note 3)  
Supply Voltage (VS = V+ – V−)  
Human Body Model  
Charge-Device Model  
Machine Model  
2 kV  
1 kV  
200V  
−40°C to 125°C  
2.7V to 5.5V  
Package Thermal Resistance (θJA (Note 3))  
5-Pin SC-70  
8-Pin MSOP  
VIN Differential  
Supply Voltage (VS = V+ – V−)  
± Supply Voltage  
302°C/W  
217°C/W  
135°C/W  
6V  
V++0.4V,  
V− −0.4V  
Voltage at Input/Output Pins  
14-Pin TSSOP  
3.3V Electrical Characteristics (Note 4)  
Unless otherwise specified, all limits are guaranteed for at TA = 25°C, V+ = 3.3V, V− = 0V, VCM = V+/2, and RL =10 kΩ to V+/2.  
Boldface limits apply at the temperature extremes.  
Symbol  
VOS  
TCVOS  
Parameter  
Conditions  
Min  
(Note 6)  
Typ  
(Note 5)  
Max  
(Note 6)  
Units  
Input Offset Voltage  
±0.25  
±0.5  
±1.00  
±1.23  
mV  
(Note 9)  
Input Offset Voltage Temperature Drift  
(Notes 9, 10)  
LMV831,  
LMV832  
±1.5  
±1.7  
μV/°C  
LMV834  
±0.5  
0.1  
IB  
Input Bias Current  
(Note 10)  
10  
500  
pA  
pA  
dB  
IOS  
Input Offset Current  
1
0.2V ≤ VCM ≤ V+ - 1.2V  
CMRR  
Common-Mode Rejection Ratio  
(Note 9)  
76  
75  
91  
2.7V ≤ V+ ≤ 5.5V,  
VOUT = 1V  
PSRR  
Power Supply Rejection Ratio  
(Note 9)  
76  
75  
93  
dB  
EMIRR  
EMI Rejection Ratio, IN+ and IN-  
(Note 8)  
VRF_PEAK=100 mVP (−20 dBP),  
f = 400 MHz  
80  
90  
VRF_PEAK=100 mVP (−20 dBP),  
f = 900 MHz  
dB  
VRF_PEAK=100 mVP (−20 dBP),  
f = 1800 MHz  
110  
120  
VRF_PEAK=100 mVP (−20 dBP),  
f = 2400 MHz  
CMVR  
AVOL  
Input Common-Mode Voltage Range  
−0.1  
2.1  
V
CMRR ≥ 65 dB  
RL = 2 kΩ,  
Large Signal Voltage Gain  
(Note 11)  
LMV831,  
LMV832  
LMV834  
102  
102  
121  
121  
126  
123  
VOUT = 0.15V to 1.65V,  
102  
102  
VOUT = 3.15V to 1.65V  
dB  
LMV831,  
LMV832  
104  
104  
RL = 10 kΩ,  
VOUT = 0.1V to 1.65V,  
LMV834  
104  
VOUT = 3.2V to 1.65V  
103  
www.national.com  
2
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
LMV832MME/NOPB TI Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) o

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