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LM74801QDRRRQ1

更新时间： 2024-11-05 11:13:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动控制器二极管
页数 文件大小 规格书
46页 9794K
描述
用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 | DRR | 12 | -40 to 125

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LM74801QDRRRQ1 数据手册

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LM7480-Q1
ZHCSL09C – APRIL 2020 – REVISED DECEMBER 2020  
具有负载突降保护功能的 LM7480-Q1 理想二极管控制器  
1 特性  
3 说明  
•
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控  
制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输  
入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电  
的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V  
的 负 电 源 电 压 的 影 响 。 集 成 的 理 想 二 极 管 控 制 器  
(DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极  
管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径  
中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载  
断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保  
护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-  
Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。  
LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向  
电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方  
案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一  
个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1  
的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件  
配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例  
如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影  
响。  
– 器件温度等级 1：  
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围  
– 器件 HBM ESD 分类等级 2  
– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B  
• 3V 至 65V 输入范围  
•
•
反向输入保护低至 –65V  
在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟  
道 MOSFET  
• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管  
正常运行 (LM74800-Q1)  
•
低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)  
• 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流  
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流  
•
可调节过压保护  
• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）  
•
•
采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态  
要求  
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装  
器件信息  
封装(1)  
2 应用  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
•
汽车电池保护  
LM74800-Q1、  
LM74801-Q1  
WSON (12)  
3.0mm x 3.0mm  
– ADAS 域控制器  
– 摄像头 ECU  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
– 音响主机  
– USB 集线器  
•
用于冗余电源的有源 ORing  
VOUT2  
(Always ON)  
VBATT:  
12V/24V  
with 200V Load Dump  
60V  
200V  
Q2  
Q1  
VOUT  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT1  
(VBATT Switched)  
R1  
10kΩ  
C
HGATE  
VS  
OUT  
A
DGATE  
DGATE CAP VS  
C
D1  
SMBJ36CA  
HGATE  
A
C1  
OUT  
VSNS  
SW  
D1  
CAP  
1µF  
60V  
LM7480x-Q1  
VSNS  
R1  
BATT_MON  
LM7480x-Q1  
GND  
SW  
OV  
R1  
R2  
R2  
EN/UVLO  
ON OFF  
EN/UVLO  
ON OFF  
GND  
OV  
R3  
具有 200V 负载突降保护的理想二极管  
具有开关输出的理想二极管  
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSD95  
 
 
 
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与LM74801QDRRRQ1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LM7480-Q1 TI

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 		用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器
LM7481 TI

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LM74810MDRRR TI

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 		具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NF
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 		支持驱动背对背 NFET、具有高栅极驱动能力的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 |
LM7481-Q1 TI

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