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LM74810MDRRR

更新时间: 2023-09-03 20:29:05
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德州仪器 - TI 栅极驱动控制器二极管
页数 文件大小 规格书
31页 3306K
描述
具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 | DRR | 12 | -55 to 125

LM74810MDRRR 数据手册

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LM7481  
ZHCSNK1 DECEMBER 2022  
LM7481 用于驱动背对NFET 3V 65V 理想二极管控制器  
1 特性  
3 说明  
• 适用于扩展温度范围的应用  
– 器件温度:  
-55°C +125°C 环境工作温度范围  
3V 65V 输入范围  
LM74810 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背  
N 沟道 MOSFET从而模拟具有电源路径开/关控制和  
过压保护功能的理想二极管整流器。3V 65V 的宽输  
入电源可保护和控制 12V 24V 输入供电系统。该器  
件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的  
影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一  
MOSFET 来代替肖特基二极管以实现反向输入保  
护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个  
MOSFET 的情况下该器件允许负载断开/关控  
并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可  
调节过压切断保护功能。LM74810 采用线性稳压和比  
较器方案实现反向电流阻断。通过功率 MOSFET 的共  
漏极配置以使用另一个理想二极管将中点用于  
OR-ing 设计。LM74810 的最大额定电压为 65V。通过  
在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET可以保护  
负载免受过压瞬态例如 24V 电池系统中未抑制的  
200V 负载突降的影响。  
• 反向输入保护低65V  
• 驱动外部背对N MOSFET  
9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下理想二极管正  
常运行  
• 低反向检测阈(4mV)能够快速响(0.5µs)  
• 高200KHz 的有源整流  
60mA 峰值栅(DGATE) 导通电流  
2.6A DGATE 关断电流  
• 集3.8mA 电荷泵  
• 可调节过压保护  
2.87µA 低关断电流EN/UVLO = 低电平)  
2.6A DGATE 关断电流  
• 采用合适TVS 二极管符合汽ISO7637 瞬态  
要求  
封装信息  
封装(1)  
• 采用节省空间12 WSON 封装  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
LM74810  
2 应用  
WSON (12)  
3.00 mm × 3.00 mm  
航电设备输入反极性保护  
传感器  
成像  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
雷达  
用于冗余电源的有ORing  
VOUT2  
(Always ON)  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT1  
(VBATT Switched)  
DGATE CAP VS  
A
C
D1  
HGATE  
SMBJ36CA  
OUT  
VSNS  
SW  
R1  
BATT_MON  
LM74810  
GND  
R2  
EN/UVLO  
ON OFF  
OV  
R3  
具有开关输出的理想二极管  
ISO16750LV124 交流叠加性能  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDD9  
 
 
 

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