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LM7480-Q1

更新时间: 2024-11-19 11:13:55
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德州仪器 - TI 驱动控制器二极管
页数 文件大小 规格书
46页 9794K
描述
用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

LM7480-Q1 数据手册

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LM7480-Q1
ZHCSL09C APRIL 2020 REVISED DECEMBER 2020  
具有负载突降保护功能的 LM7480-Q1 理想二极管控制器  
1 特性  
3 说明  
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背 N 沟道 MOSFET从而模拟具有电源路径开/关控  
制和过压保护的理想二极管整流器。3V 65V 的宽输  
入电源电压可保护和控制 12V 24V 汽车类电池供电  
ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V  
的 负 电 源 电 压 的 影 响 。 集 成 的 理 想 二 极 管 控 制 器  
(DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极  
以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径  
中使用了第二个 MOSFET 的情况下该器件允许负载  
断开/关控制并使用 HGATE 控制提供过压保  
护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-  
Q1 两种型号LM74800-Q1 LM74801-Q1。  
LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向  
电流阻断功能LM74801-Q1 支持基于比较器的方  
案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置可以使用另一  
个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1  
的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件  
配置外部 MOSFET可以保护负载免受过压瞬态例  
24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降的影  
响。  
– 器件温度等级 1:  
40°C +125°C 环境工作温度范围  
– 器件 HBM ESD 分类等级 2  
– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B  
3V 65V 输入范围  
反向输入保护低至 –65V  
在共漏极和共源极配置下可驱动外部背对背 N 沟  
MOSFET  
10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下理想二极管  
正常运行 (LM74800-Q1)  
低反向检测阈值 (4.5mV)能够快速响应 (0.5µs)  
20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流  
2.6A 峰值 DGATE 关断电流  
可调节过压保护  
2.87µA 低关断电流EN/UVLO = 低电平)  
采用合适的 TVS 二极管符合汽车 ISO7637 瞬态  
要求  
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装  
器件信息  
封装(1)  
2 应用  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
汽车电池保护  
LM74800-Q1、  
LM74801-Q1  
WSON (12)  
3.0mm x 3.0mm  
ADAS 域控制器  
– 摄像头 ECU  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
– 音响主机  
USB 集线器  
用于冗余电源的有源 ORing  
VOUT2  
(Always ON)  
VBATT:  
12V/24V  
with 200V Load Dump  
60V  
200V  
Q2  
Q1  
VOUT  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT1  
(VBATT Switched)  
R1  
10kΩ  
C
HGATE  
VS  
OUT  
A
DGATE  
DGATE CAP VS  
C
D1  
SMBJ36CA  
HGATE  
A
C1  
OUT  
VSNS  
SW  
D1  
CAP  
1µF  
60V  
LM7480x-Q1  
VSNS  
R1  
BATT_MON  
LM7480x-Q1  
GND  
SW  
OV  
R1  
R2  
R2  
EN/UVLO  
ON OFF  
EN/UVLO  
ON OFF  
GND  
OV  
R3  
具有 200V 负载突降保护的理想二极管  
具有开关输出的理想二极管  
本文档旨在为方便起见提供有关 TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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English Data Sheet: SNOSD95  
 
 
 

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