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LM7481-Q1

更新时间： 2024-11-19 11:12:55
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德州仪器 - TI 栅极驱动控制器二极管
页数 文件大小 规格书
37页 6786K
描述
支持驱动背对背 NFET、具有高栅极驱动能力的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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LM7481-Q1 数据手册

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LM7481-Q1
ZHCSLA3A – MAY 2020 – REVISED DECEMBER 2020  
具有有源整流和负载突降保护功能的 LM7481-Q1 理想二极管控制器  
1 特性  
3 说明  
•
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  
LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背  
对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控  
制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输  
入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电  
的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V  
的 负 电 源 电 压 的 影 响 。 集 成 的 理 想 二 极 管 控 制 器  
(DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极  
管，以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA  
峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的  
3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应，从而确保在  
汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、  
高效的 MOSFET 开关性能，在汽车测试中 ECU 会收  
到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输  
入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况  
下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE  
控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功  
能，以提供负载突降保护。  
– 器件温度等级 1：  
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围  
– 器件 HBM ESD 分类等级 2  
– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B  
• 3V 至 65V 输入范围  
•
•
反向输入保护低至 –65V  
驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET  
• 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正  
常运行  
•
•
低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5µs)  
高达 200KHz 的有源整流  
• 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流  
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流  
•
•
集成 3.8mA 电荷泵  
可调节过压保护  
器件信息 (1)  
• 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）  
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
封装  
WSON (12)  
LM74810-Q1  
3.0mm x 3.0mm  
•
采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态  
要求  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
•
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装  
2 应用  
•
汽车电池保护  
– ADAS 域控制器  
– 音响主机  
– 高端音响  
•
用于冗余电源的有源 ORing  
VOUT2  
(Always ON)  
Q1  
Q2  
VBATT  
12 V  
VOUT1  
(VBATT Switched)  
DGATE CAP VS  
C
D1  
SMBJ36CA  
HGATE  
A
OUT  
VSNS  
SW  
R1  
BATT_MON  
LM74810-Q1  
GND  
R2  
EN/UVLO  
ON OFF  
OV  
R3  
具有开关输出的理想二极管  
ISO16750、LV124 交流叠加性能  
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSD98  
 
 
 
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