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LM74900-Q1

更新时间： 2024-09-14 11:15:11

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德州仪器 - TI		断路器二极管
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48页	4659K
描述
具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管

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LM74900-Q1 数据手册

LM74900-Q1, LM74910-Q1

ZHCSO86A –DECEMBER 2022 –REVISED JUNE 2023

LM749x0-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二

极管

1 特性

3 说明

• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背

对背N 沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控

制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至

65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车

类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受

低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管

控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特

基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电

源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允

许在发生过流和过压事件时使用HGATE 控制将负载断

开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，

可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器

件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模

式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于

停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。

LM749x0-Q1 的最大额定电压为65V。

– 器件温度等级1：

–40°C 至+125°C 环境工作温度范围

• 功能安全型

– 可提供用于功能安全系统设计的文档

• 3V 至65V 输入范围

• 反向输入保护低至–65V

• 在共漏极配置下，可驱动外部背对背N 沟道

MOSFET

• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管

正常运行

• 低反向检测阈值(-10.5mV)，具有快速关断响应

(0.5µs)

• 20mA 峰值栅极(DGATE) 导通电流

• 2.6A 峰值DGATE 关断电流

• 可调过流和短路保护

• 精度为10% 的模拟电流监视器输出(IMON)

• 可调节过压和欠压保护

• 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）

• 睡眠模式，电流为6µA（EN=高电平，SLEEP=低

电平）

封装信息

封装⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

器件型号

LM74900-Q1⁽²⁾

LM74910-Q1

VQFN (24)

4.00mm × 4.00mm

• 采用合适的TVS 二极管，符合汽车ISO7637 瞬态

要求

• 采用节省空间的24 引脚VQFN 封装

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

(2) 预发布信息（非量产数据）。

2 应用

• 汽车电池保护

– ADAS 域控制器

– 信息娱乐系统与仪表组

– 汽车音频：外部放大器

• 用于冗余电源的有源ORing

VBATT

R_SENSE

VOUT

R_ISCP

R_SET

R_G

C_OUT

C_IN

C_dvdt

I_SCPCS+

CS-

DGATE CAP

HGATE

OUT

R₁

R₂

FLT

LM749x0-Q1

UVLO

ON OFF

SLEEP

OFF

TMR

C_T

I_MON

I_LIM

R_LIM

GND

R₃

R_MON

典型应用图

具有过流保护功能的器件启动

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSDE6

12 3 4 5 6 7...48

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