Datasheet > LL43-GS08

LL43-GS08

更新时间： 2024-11-30 11:33:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		小信号肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
Small Signal Schottky Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LL43-GS08 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-213AA	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.83	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.33 V
JEDEC-95代码：	DO-213AA	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	250	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

LL43-GS08 数据手册

LL42, LL43

Vishay Semiconductors

Small Signal Schottky Diodes

Features

• For general purpose applications

• These diodes feature very low turn-on

voltage and fast switching.

• These devices are protected by a PN

junction guard ring against excessive

voltage, such as electrostatic discharges.

• These diodes are also available in the DO-35 case

with type designations BAT42 to BAT43 and in the

SOD-123 case with type designations BAT42W-V

to BAT43W-V.

17205

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Mechanical Data

Case: MiniMELF SOD-80

Weight: approx. 31 mg

Cathode band color: black

Packaging codes/options:

GS18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08/2.5 k per 7" reel (8 mm tape), 12.5 k/box

Parts Table

Part

Ordering code

Type Marking

Remarks

LL42

LL43

LL42-GS18 or LL42-GS08

LL43-GS18 or LL43-GS08

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V_RRM

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Forward continuous current

Repetitive peak forward current

Surge forward current

200¹⁾

500¹⁾

4¹⁾

I_F

t_p< 1 s, δ < 0.5

t_p= 10 ms

I_FRM

I_FSM

P_tot

Power dissipation¹⁾

200¹⁾

T_amb= 65 °C

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Document Number 85672

Rev. 1.5, 05-Aug-10

www.vishay.com

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

LL43-GS08 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TMMBAT42FILM	STMICROELECTRONICS	功能相似	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
TMMBAT43FILM	STMICROELECTRONICS	功能相似	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

与LL43-GS08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LL43-GS18	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes
LL43-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, MINIMELF-2
LL4446	SYNSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
LL4446	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,
LL4446	TDK	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM)
LL4446R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,
LL4446X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,
LL4447	SEMTECH	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES
LL4447	TDK	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM)
LL4447	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,

与LL43-GS08相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LL43-GS08

LL43-GS08 技术参数

LL43-GS08 数据手册

LL43-GS08 替代型号

与LL43-GS08相关器件

与LL43-GS08相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LL43-GS08

LL43-GS08 技术参数

LL43-GS08 数据手册

LL43-GS08 替代型号

与LL43-GS08相关器件

与LL43-GS08相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？