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LL4448

更新时间： 2024-01-20 12:10:08

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固锝 - GOOD-ARK		二极管局域网
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4页	215K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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LL4448 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
元件数量：	1	最高工作温度：	200 °C
最大输出电流：	0.15 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.008 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

LL4448 数据手册

LL4448

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Features

Silicon Epitaxial Planar Diode

fast switching diode in MiniMELF case especially suited for

automatic insertion.

Identical electrically to standard 1N4448

These diode are delivered taped.

Details see Taping.

Weight approx. : 0.05g

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.142

0.059

0.016

Min.

3.4

Max.

3.6

0.134

0.055

0.008

1.40

0.2

1.50

0.4

Absolute Maximum Ratings (T_a=25

)

Symbols

V_R

Values

Units

Reverse voltage

Volts

Peak reverse voltage

V_RM

100

Rectified current (Average)

Half wave rectification with Resist. Load

at T_amb=25 and f 50Hz

I_O

150

Surge forward current at t<1s and T=25

I_FSM

P_tot

T_j

500

Power dissipation at T_amb=25

Junction Temperature

500

175

Storage temperature range

T_S

-65 to +175

Note:

(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

12 3 4

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