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LL4448GS08

更新时间: 2024-01-24 09:59:14
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TEMIC /
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,

LL4448GS08 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76其他特性:EXTREME FAST SWITCHES
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.008 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

LL4448GS08 数据手册

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