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LL4448

更新时间： 2024-02-26 04:33:25

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美丽微 - FORMOSA		二极管
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2页	66K
描述
Silicon epitaxial planar type

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LL4448 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
元件数量：	1	最高工作温度：	200 °C
最大输出电流：	0.15 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.008 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

LL4448 数据手册

MINI-MELF Switching Diode

Formosa MS

LL4448

Silicon epitaxial planar type

Features

SOD-80

Small surface mounting type

High reliability

High speed ( t_rr< 4 ns )

SOLDERABLE

ENDS

.146(3.7)

.130(3.3)

.012(.30)

.063(1.6)

.055(1.4)

Mechanical data

Dimensions in inches and (millimeters)

Case : Glass, SOD-80 (MINI-MELF)

Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity : Indicated by cathode band

Mounting Position : Any

Weight : 0.015 gram

(AT T_A=25 C unless otherwise noted)

MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

CONDITIONS

Symbol

V_RRM

V_R

MIN.

TYP.

MAX.

100

UNIT

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Peak forward surge current

Repetitive peak forward voltage

Forward current

t_p= 1 us

I_FSM

I_FRM

I_F

2.0

500

300

150

500

175

+175

Average forward current

Power dissipation

V_R= 0

I_FAV

P_V

Junction temperature

Storage temperature

T_j

T_STG

-55

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AT T_A=25 C unless otherwise noted)

PARAMETER

Forward voltage

CONDITIONS

Symbol

V_F

MIN.

TYP.

0.93

MAX.

1.00

UNIT

I_F= 100mA

V_R= 20V

I_R

V_R= 20V , T_j= 150 C

Reverse current

I_R

V_R= 75V

I_R

5.0

Breakdown current

I_R= 100uA , T_P/T = 0.01 T_P= 0.3ms

V_R= 0 , f = 1MHz , V_HF= 50mV

V_HF= 2V , f = 100MHz

V_(BR)

C_D

100

Diode capacitance

4.0

Rectification efficiency

n_R

I_F= I_R= 10mA , I_RR= 1mA

I_F=10mA, V_R=6V, I_RR= 0.1 X I_R, R_L=100_OHM

t_rr

Reverse recovery time

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