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LGD18N40ATH

更新时间: 2023-12-06 20:13:08
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力特 - LITTELFUSE 驱动双极性晶体管高压装置驱动器
页数 文件大小 规格书
10页 511K
描述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 此设备相比标准DPAK

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Datasheet  
LGD18N40ATH  
400 V, 18 A N-Channel Ignition IGBT  
Product Sum m ary  
Characteristic  
Value  
400  
18  
Unit  
V
V
CES  
IC  
A
Description  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor  
(IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD  
inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever  
high voltage and high current switching is required.  
Agency Approvals  
Environm ental Approvals  
Features  
DPAK Package Offers Smaller Footprint for  
Increased Board Space  
Pinout Diagram  
Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load  
Integrated ESD Diode Protection  
New Design Increases Unclamped Inductive  
Switching (UIS) Energy Per Area  
Low Threshold Voltage Interfaces Power Loads to  
Logic or Microprocessor Devices  
Low Saturation Voltage  
High Pulsed Current Capability  
Optional Gate Resistor (RG  
Resistor (RGE)  
AEC-Q101 Qualified  
Functional Diagram  
1
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2020 Littelfuse, Inc.  
Revised: 3/16/2020  

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