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LGD18N40ATH

更新时间： 2023-12-06 20:13:08

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力特 - LITTELFUSE		栅驱动双极性晶体管高压装置驱动器
页数	文件大小	规格书
10页	511K
描述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。此设备相比标准DPAK

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LGD18N40ATH 数据手册

Datasheet

Figure 7. Collector-Em itter Voltage vs. Gate-Em itter Voltage

(T_J= 150 °C)

Figure 8. Capacitance Variation

10000

2.5

1000

100

I_C= 15 A

C_ISS

I_C= 10 A

1.5

C_OSS

I_C= 5 A

0.5

C_RSS

0.1

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Gate-Em itter Voltage, V_GE(V)

Collector-Em itter Voltage, V_CE(V)

Figure 10. Minim um Open Secondary Latch Current vs.

Tem perature

Figure 9. Gate Threshold Voltage vs. Tem perature

V_CC= 50 V

V_GE= 5.0 V

R_G= 1000

1.8

1.6

1.4

1.2

V_TH+ 4σ

V_TH

L = 1.8 mH

V_TH- 4σ

0.8

0.6

0.4

0.2

L = 3 mH

L = 6 mH

-50

-25

100

125

150

-50

-25

100 125 150 175

J unction Tem perature, T_J(°C)

Inductance, L (m H)

Figure 11. Typical Open Secondary Latch Current vs.

Tem perature

Figure 12. Inductive Switching Fall Tim e vs. Tem perature

V_CC= 300 V

V_GE= 5.0 V

R_G= 1000

I_C= 10 A

V_CC= 50 V

V_GE= 5.0 V

R_G= 1000

L = 1.8 mH

t_f

L = 300 µH

L = 3 mH

L = 6 mH

t_d(off)

-50

-25

100 125 150 175

-50

-25

100

125

150

Inductance, L (m H)

Tem perature (°C)

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 3/16/2020

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