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LDTC115GET3G

更新时间： 2025-09-07 01:12:39
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乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 339K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTC115GET3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：82元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTC115GET3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTC115GET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
COLLECTOR  
1
BASE  
R2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltag  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
EMITTER  
50  
V
CBO  
VCEO  
VEBO  
50  
5
V
V
IC  
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pc  
Tj  
200  
150  
Tstg  
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
L2  
100  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTC115GET1G  
LDTC115GET3G  
L2  
100  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
5
−
−
−
−
−
−
−
100  
250  
−
−
−
0.5  
58  
0.3  
−
130  
−
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltag  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
C
V
E
=72µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
30  
−
82  
70  
−
µA  
µA  
V
V
V
I
Emitter cutoff current  
V
IC  
=5mA, I  
=5mA, VCE=5V  
B
=0.25mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
h
−
kΩ  
MHz  
I
C
R
−
Emitter-base resistance  
fT  
∗
V
CE=10V, I =−5mA, f=100MHz  
E
Transition frequency  
∗ Characteristics of built-in transistor  
1/3  
123

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