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LDTC115TET3G

更新时间： 2025-09-07 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 417K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTC115TET3G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：100
元件数量：1极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

LDTC115TET3G 数据手册

 浏览型号LDTC115TET3G的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTC115TET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
R1  
COLLECTOR  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltag  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
EMITTER  
50  
V
CBO  
VCEO  
VEBO  
50  
5
V
V
IC  
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pc  
Tj  
200  
150  
Tstg  
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
H6  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTC115TET1G  
LDTC115TET3G  
100  
H6  
100  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
130  
−
V
V
I
I
I
C
=
50µA  
1mA  
C
=
V
E=  
50µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
100  
70  
−
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
50V  
Emitter cutoff current  
I
EB  
=
4V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
I
I
C
/I  
B
=1mA/0.1mA  
h
250  
100  
250  
−
kΩ  
MHz  
C
=1mA, VCE 5V  
=
Input resistance  
R
1
−
Transition frequency  
f
T
V
CE  
=10V, I  
E
=−5mA, f  
=100MHz  
∗
Characteristics of built-in transistor.  
∗
1/2  
12

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