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LDTC143ELT1G

更新时间： 2024-10-28 05:41:47
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 203K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTC143ELT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：30元件数量：1
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICON

LDTC143ELT1G 数据手册

 浏览型号LDTC143ELT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTC143ELT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTC143ELT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SOT–23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
R1  
R2  
COLLECTOR  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Symbol  
Unit  
Limits  
EMITTER  
Supply voltage  
V
CC  
IN  
V
V
50  
−10 to +10  
100  
Input voltage  
V
Output current  
I
C
mA  
mW  
C
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PD  
200  
Tj  
Tstg  
150  
C
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
N2  
4.7  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
4.7  
LDTB113ELT1G  
LDTB113ELT3G  
N2  
4.7  
4.7  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
=100µA  
=20mA  
=10mA/0.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
=5V, I =10mA  
−
3
−
−
−
−
−
0.5  
−
V
V
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/I  
O
V
V
I(off)  
I(on)  
Input voltage  
O
O
V
V
0.1  
−
0.3  
1.8  
0.5  
I
O I  
V
O(on)  
Output voltage  
Input current  
mA  
µA  
V
V
I
I
I
−
I=0V  
IO(off)  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
30  
3.29  
0.8  
−
−
4.7  
1
−
6.11  
1.2  
−
−
kΩ  
−
V
O
O
G
I
R1  
−
R
2
/R  
1
−
f
T
∗
250  
MHz  
CE=10V, I  
E= −5mA, f=100MHz  
V
∗
Characteristics of built-in transistor  
1/3  
123

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