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LBAS21CLT3G

更新时间： 2024-01-03 22:30:27

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乐山 - LRC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	273K
描述
High Voltage Switching Diode

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LBAS21CLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	0.625 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.225 W	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

LBAS21CLT3G 数据手册

LBAS21CLT1G, S-LBAS21CLT1G

High Voltage Switching Diode

7.OUTLINE AND DIMENSIONS

Notes:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.

3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD

FINISH. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM

THICKNESS OF BASE MATERIAL.

4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD

FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS.

MILLIMETERS

INCHES

MIN NOM MAX MIN NOM MAX

DIM

0.89

1.11 0.035 0.04 0.044

0.1 0.001 0.002 0.004

0.5 0.015 0.018 0.02

A1 0.01

0.06

0.44

0.37

0.09

2.80

1.20

1.78

0.10

0.13 0.18 0.003 0.005 0.007

2.9

1.3

1.9

0.2

3.04 0.11 0.114 0.12

1.4 0.047 0.051 0.055

2.04 0.07 0.075 0.081

0.3 0.004 0.008 0.012

L1 0.35

0.54 0.69 0.014 0.021 0.029

H_E

2.10

0°

2.4

---

2.64 0.083 0.094 0.104

10° 0° --- 10°

8.SOLDERING FOOTPRINT

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.B Jul. 2017

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