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LBAS21CLT3G

更新时间: 2024-02-12 19:36:34
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乐山 - LRC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 273K
描述
High Voltage Switching Diode

LBAS21CLT3G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:0.625 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.225 W最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

LBAS21CLT3G 数据手册

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LBAS21CLT1G, S-LBAS21CLT1G  
High Voltage Switching Diode  
5. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25ºC )  
CHARACTERISTICS  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 250V)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
-
-
-
100  
0.1  
IR  
µA  
(VR=200V)  
(VR=200V, TJ = 150°C)  
Reverse Breakdown Voltage  
(IBR = 100 µA)  
100  
VBR  
VF  
V
250  
-
Forward voltage  
(IF =100mA)  
mV  
-
-
1000  
1250  
(IF =200mA)  
Diode capacitance  
Cd  
Trr  
(f=1MHz,VR =0)  
-
-
5
pF  
nS  
Reverse Recovery Time  
(IF = IR = 30mA, RL = 100 )  
50  
Leshan Radio Company, LTD.  
Rev.B Jul. 2017  
2/4  

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