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KTN2369U

更新时间: 2024-09-14 22:32:03
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KEC 晶体开关晶体管光电二极管局域网
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2页 153K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH SPEED SWITCHING)

KTN2369U 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):500 MHz最大关闭时间(toff):15 ns
最大开启时间(吨):12 nsBase Number Matches:1

KTN2369U 数据手册

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