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KTN2907AE

更新时间: 2024-09-15 11:32:23
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页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KTN2907AE 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.73最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):110 ns
最大开启时间(吨):50 nsBase Number Matches:1

KTN2907AE 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTN2907AE  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
E
B
FEATURES  
Low Leakage Current  
D
DIM MILLIMETERS  
: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.  
Low Saturation Voltage  
2
_
A
B
C
1.60+0.10  
_
+
0.85 0.10  
3
1
_
0.70 0.10  
+
: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.  
Complementary to the KTN2222AE.  
D
E
0.27+0.10/-0.05  
_
1.60 0.10  
+
_
+
1.00 0.10  
G
H
J
0.50  
_
0.13+0.05  
J
1. EMITTER  
2. BASE  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
3. COLLECTOR  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-60  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-60  
V
-5  
V
ESM  
-600  
100  
mA  
mW  
PC  
Collector Power Dissipation (Ta=25  
Junction Temperature  
)
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
Marking  
Z H  
2004. 1. 29  
Revision No : 0  
1/4  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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