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KTA1862L

更新时间： 2024-11-17 22:47:27
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KEC 晶体开关晶体管高压局域网电话
页数 文件大小 规格书
3页 412K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES)

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KTA1862L 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTA1862D/L  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH VOLTAGE SWITCHING.  
POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES.  
A
C
I
J
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
A
B
C
D
E
F
High Breakdown Voltage, Typically : BVCEO=-400V.  
Low Collector Saturation Voltage.  
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) at (IC=0.5A)  
High Switching Speed, Typically  
: tf= 0.4 S at IC=-1A  
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
_
2.00+0.20  
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
J
H
K
L
M
O
P
P
F
L
F
Wide Safe Operating Area (SOA)  
1
2
3
Q
0.95 MAX  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
DPAK  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-400  
-400  
-7  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltag  
A
C
I
V
J
V
DIM MILLIMETERS  
DC  
Collector Current  
Pulse  
-2.0  
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
A
_
+
5.0 0.2  
ICP  
-4.0  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
P
H
G
_
+
_
+
_
+
1.0  
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
G
H
I
PC  
W
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
10  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
F
F
L
K
L
P
Tj  
_
Junction Temperature  
150  
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut of Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VCB=-400V  
-
-
-
-1.0  
A
A
V
V
V
IEBO  
VEB=-5V  
Emitter Cut of Current  
-
-1.0  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
hFE(1) Note  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IC=-50 A  
-400  
-
-
IC=-1mA  
-400  
-
-
IE=-50 A  
-7  
56  
6
-
-
-
180  
-
VCE=-5V, IC=-100mA  
VCE=-5V, IC=-500mA  
IC=-500mA, IB=-100mA  
IC=-500mA, IB=-100mA  
100  
-
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.3  
-
-0.5  
-1.2  
-
V
V
-
VCE=-10V, IE=-100mA, f=5MHz  
VCB=-10V, IE=0mA, f=1MHz  
-
18  
30  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
OUTPUT  
ton  
tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
0.2  
-1.8  
0.4  
-
-
-
I
B2  
INPUT  
I
0
B2  
B1  
I
B1  
Turn-off Time  
Storage Time  
Switching Time  
S
I
20µsec  
-I =I =0.2A  
B2  
B1  
<
DUTY CYCLE 1%  
V
CC  
=-150V  
=
Note : hFE(1) Classification O:56~120, Y:82~180.  
2003. 3. 27  
Revision No : 4  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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