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KTA1271A

更新时间： 2024-02-29 01:47:34

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KEC		半导体
页数	文件大小	规格书
2页	50K
描述
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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KTA1271A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1271A 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA1271A

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

FEATURES

· High h_FE: h_FE=100∼ 320.

· Complementary to KTC3203A.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-35

UNIT

1.00

1.27

0.85

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.45

14.00 +0.50

-30

0.55 MAX

2.30

-5

0.45 MAX

1.00

Collector Current

-800

800

℃

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

I_E

Emitter Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

400

T_j

150

TO-92 (F)

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-100

UNIT

V_CB=-35V, I_E=0

V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

I_C=-10mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-30

100

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C=-700mA

I_C=-500mA, I_B=-20mA

V_CE=-1V, I_C=-10mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

320

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

-0.7

-0.8

-0.5

f_T

Transition Frequency

120

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(1) Classification

0:100∼ 200, Y:160∼ 320

2010. 1. 28

Revision No : 1

1/2

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