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KTA1275O

更新时间： 2024-11-18 15:36:31

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	109K
描述
Transistor

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KTA1275O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

KTA1275O 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92L

KTA1275 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

High Voltage

Large Continuous Collector Current Capability

Complementary to KTC3228

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-160

-6

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-1

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

0.75

167

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-160

-6

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1mA,I_E=0

I_C=-10mA,I_B=0

I_E=-1mA,I_C=0

V_CB=-150V,I_E=0

-1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-6V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-5V, I_C=-200mA

I_C=-500mA,I_B=-50mA

V_CE=-5V, I_C=-5mA

V_CB=-10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=-5V,IC=-200mA

-0.45

320

-1.5

-0.75

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Collector output capacitance

Transition frequency

C_ob

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

60-120

100-200

160-320

A,Dec,2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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