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KST6428L99Z

更新时间： 2024-02-16 03:59:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

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KST6428L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KST6428L99Z 数据手册

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KST6428  
Amplifier Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KST5088 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
60  
50  
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =1mA, I =0  
V
C
B
I
I
I
V
=30V, I =0  
0.01  
0.1  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CE  
EB  
E
V
V
=30V, I =0V  
B
CEO  
EBO  
=5V, I =0  
0.01  
C
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
=5V, I =0.01mA  
250  
250  
250  
250  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=5V, I =0.1mA  
650  
V
C
=5V, I =1.0mA  
C
=5V, I =10mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =0.5mA  
0.2  
0.6  
V
V
CE  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
V
=5V, I =1mA  
0.56  
100  
0.66  
3
pF  
BE  
CE  
CB  
CE  
C
C
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
MHz  
ob  
E
f
Current Gain Bandwidth Product  
=5V, I =0mA, f=100MHz  
700  
T
C
Marking  
1K  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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与KST6428L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST6428S62Z FAIRCHILD

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
KST6428TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KST6428TI SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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