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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.52 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST64TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST64TR | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST70TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| KST70TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| KST70TR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| KST8050 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| KST8050 | TYSEMI |
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Collector Current: IC=1.5A |
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| KST8050_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| KST8050-3_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
|
| KST8050-H | KEXIN |
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NPN Transistors |
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