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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> KSP10
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KSP10

更新时间： 2024-02-17 22:57:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
VHF/UHF transistor

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KSP10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：650 MHz

KSP10 数据手册

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KSP10  
VHF/UHF transistor  
TO-92  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
P
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
C
3.0  
V
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
W
a
Derate above 25°C  
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
1.0  
C
C
Derate above 25°C  
8.0  
W/°C  
°C  
T
T
Junction Temperature  
150  
-55~150  
125  
357  
J
Storage Temperature  
°C  
STG  
Rth(j-c)  
Rth(j-a)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
°C/W  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
30  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1mA, I =0  
25  
C
B
I =10µA, I =0  
3.0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
100  
100  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=2V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=10V, I =4mA  
60  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =4mA, I =0.4mA  
0.5  
V
V
CE  
C
B
V
=10V, I =4mA  
0.95  
BE  
CE  
CE  
CB  
CB  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
V
V
=10V, I =4mA, f=100MHz  
650  
MHz  
pF  
pF  
ps  
T
C
C
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
0.7  
0.65  
9.0  
ob  
rb  
E
Collector Base Feedback Capacitance  
Collector Base Time Constant  
=10V, I =0, f=1MHz  
0.35  
E
=10V, I =4mA,  
c·rbb´  
C
f=31.8MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
12345

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