KSP12

更新时间： 2024-11-23 22:47:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管达林顿晶体管
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Darlington Transistor

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KSP12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.89
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON

KSP12 数据手册

KSP12

Darlington Transistor

•

Collector-Emitter Voltage: V

Collector Power Dissipation: P (max)=625mW

=20V

CES

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CES

EBO

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

°C

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

I =100µA, I =0

CES

CBO

=15V, I =0

100

=15V, I =0

CES

EBO

=10V, I =0

DC Current Gain

=5V, I =10mA

20K

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I =10mA, I =0.01mA

=5V, I =10mA

1.4

Rev. A2, September 2002

12 3 4

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